澳大利亚国防部长表示，澳方没有提出任何要求。
TSMC 16nm 3d FinFET工艺布局规划为了突破与英特尔和三星的技术差距，TSMC (2330)放慢了16 nm FinFET工艺的量产，并在第一季度之前的第三季度开始试生产，首款产品是mainland China领先的IC设计公司Hisilicon的64位手机芯片Kirin930。
在编写单晶和多晶硅生产工艺流程(一)时，作者解释了前半部分的单晶和多晶硅工艺流程，阐述了一些工艺流程和概念，以及相关的科学知识术语。
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背景：长江流域平均降水量为1067毫米，年降水量为19200亿立方米，9610亿立方米构成径流进入海洋，径流为526毫米。长江流域再次缺水的主要原因如下。比如四川盆地，太湖流域。水质污染相当严重的地区，太湖流域、巢湖流域、沱江流域、支流尾部等河水不可用。
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